湖州管式炉厂家

管式炉是一种实验室设备,适用于金属，纳米，单晶硅,多晶硅,电池等的扩散焊接以及真空下的气体保护下，在真空或气氛状态下烧结各种新材料样品。采用先进技术，开发研制的节能环保电炉，管式炉有单管、双管、卧式、可开启式管式实验电炉。如要通各种气体也可以也可配备气体控制柜。
管式炉适用于工矿企业、大专院校，科研院所及实验室作真空或气氛状态下烧结各种新材料样品用。
内墙：采用高温纤维板或高温砖，多块精心搭建而成，它具有耐高温，耐酸碱，耐氧化等，不易裂，使用寿命长，导热慢，节能，*特的炉膛设计，经久耐用，不垮塌，（根据炉温选择不同信号的耐火内墙材料）
中层保温：选用普铝、高铝、高铝含锆等陶瓷纤维材料保温，耐高温，导热小，无污染（根据不同温度而选择保温材料）
外层保温：高温毡或纳米纤维板，（根据不同温度而选择保温材料）

本系列管式炉额定温度分别是1100℃、1400℃、1600℃、1800℃，型号齐全、安全可靠，同时也可为满足不同工艺试验而特殊定制。适用于电子陶瓷与高温结构的陶瓷烧结、玻璃的退火与微晶化、晶体的退火、陶瓷釉料制备、粉末冶金、纳米材料的烧结、金属零件淬火及一切需快速升温工艺要求的热处理。是科研单位、高等院校、工矿企业理想的试验和生产设备。

PECVD系统 等离子体化学气相沉积系统
窗体底端
PECVD系统
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子体增强化学气相沉积法。
本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
本设备主要由管式加热炉体，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应腔室等部件组成。
主要特点：
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。

多段控温管式炉
奥菲达实验仪器AFD系列中高温程控马弗炉，适用于各类大专院校实验室、工矿企业化验室，供化学分析、煤质分析、物理测定以及金属、陶瓷的烧结和溶解、小型工件等的加热、焙烧、烘干、热处理用。 型号：AFD-17E（定做型）
技术参数：
1 管径：80mm
2、温度： 1700℃ 使用温度：室温到1600℃ 使用温度：400-1500℃
3、恒温时温度稳定性：±1℃
4、炉膛材料：采用进口多晶复合陶瓷纤维材料，
5、电源电压：380V
6、炉体自身变压器功率＞17KW(特制变压器)
7、加热元件：特制硅钼棒
8、测温元件：白金（双铂铑热电偶B型）
9、控制方式：程控、模糊PID调节、 PID参数自整定功能，手动/自动无干扰切换功能，温报警功能，可编程序10段
10. 配有通讯接口可连接电脑和记录仪
11、电流输出方式：双向可控硅模块输出
12、升温速度：1200度以下 每分钟20度左右；1200度以上，每分钟10度左右。（也可以根据实际情况适当调整升温速度）
13、 加热功率可随设定升温情况自动调节，凸显节能效果。
14、显示视窗：测量温度，设定温度双显示，加热功率光柱显示。
15.节能性能：重量轻，升温快，节能60%以上，省时省力
16、控制特点：控制系统模块化结构，设备关键部件命设计，工艺简单可靠、稳定性好、精度高。
管式电炉产品描述
1.1本款管式炉以硅碳棒、硅钼棒或者电阻丝为加热元件，温度一般在1200度以上采用刚玉管。（注：1200度以下也可使用）
1.2采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，
1.3炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。
1.4采用技术，有单管、双管、卧式、可开启式、立式、单温区、双温区、三温区等多种管式炉型。
1.5具有安全可靠、操作简单、控温精度高、保温效果好、温度范围大、炉膛温度均匀性高、温区多、可选配气氛、抽真空炉型等。
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