名称名称
额定加热功率kW5
电压V电压V
工作室尺寸mm80×350
加热区域长度加热区域长度
炉膛炉膛
炉管炉管
发兰发兰
进气控制进气控制
额定工作温度℃室温~1200
加热元件加热元件
控温仪表控温仪表
控制方式控制方式
热电偶热电偶
AFD-1200X单温区开启式管式炉采用双层风冷结构,炉体表面温度≤60℃,炉膛采用高纯度氧化铝微晶纤维高温真空吸附成型。内炉膛表面涂有1750℃美国进口的高温氧化铝涂层材料提高反射率及设备的加热效率和炉膛洁净度,同时延长仪器的使用寿命。进口加热电阻丝镶嵌延长炉体使用寿命,是专为高等院校﹑科研院所的实验室及工矿企业在可控多种气氛及真空状态下对金属,非金属及其它化合物进行烧结﹑熔化﹑分析而研制的理想设备。
内墙:采用高温纤维板或高温砖,多块精心搭建而成,它具有耐高温,耐酸碱,耐氧化等,不易裂,使用寿命长,导热慢,节能,*特的炉膛设计,经久耐用,不垮塌,(根据炉温选择不同信号的耐火内墙材料)
中层保温:选用普铝、高铝、高铝含锆等陶瓷纤维材料保温,耐高温,导热小,无污染(根据不同温度而选择保温材料)
外层保温:高温毡或纳米纤维板,(根据不同温度而选择保温材料)
一、管式炉用途:本系列电阻炉系周期作业式电炉。供实验室、工矿企业、科研单位等在无氧条件下做加热之用。本电炉还可以做为真空处理之用。
二、结构:本电炉外壳为圆柱或方体。炉壳用溥钢板焊制而成。工作室为一由耐火材料烧制成的整体炉膛,炉膛内有穿丝槽,加热元件放于穿丝槽内,炉膛与炉壳之间用保温材料或纤维填充。1300度采用硅碳棒加热,1600度采用硅钼棒加热。
主要功能和特点:
一,实验室分体式管式炉外观
1.材料:采用优质冷轧板经过数控等设备机床精密加工而成,外表面经过高温嗍处理,外观美观大方,颜色协调。
二,实验室分体式管式炉电器元件
2.热电偶:采用国标贵金属热电偶丝作为原材料,测出温度准确,不偏离,根据选择电炉的温度而匹配热电偶,K分度(0-1200℃),S分度(0-1600℃),B分度(0-1820℃)
温控仪:采用能16段或32段PID控制温控仪,温控仪是双行LED显示表盘,主要用于控温,反应灵敏,可编程16或32段自动升温,保温,降温温度曲线,无人职守,PID控制,带有偏差,温断电报警等功能,使任何试验或实验的一致性和再现性成为可能。具有自动恒温及时间控制功能,并附设有二级温自动保护功能,控制可靠,使用安全
3电器:采用国标电器,移相触发,可控硅控制组装成一套与电炉匹配的智能电器,具有使用寿命长,耐冲压,安全,无噪音等,告别老式继电器电路。
4变压器:采用全隔离静音铜线变压器,噪音小。发热量少,安全系数高,(硅钼棒炉与钼丝炉配有)。
三,实验室分体式管式炉炉膛
PECVD系统 等离子体化学气相沉积系统
窗体底端
PECVD系统
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子体增强化学气相沉积法。
本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
本设备主要由管式加热炉体,真空系统,质子流量供气系统,射频等离子源,石英反应腔室等部件组成。
主要特点:
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
5、广泛应用于:各种薄膜的生长,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。
管式电炉产品描述
1.1本款管式炉以硅碳棒、硅钼棒或者电阻丝为加热元件,温度一般在1200度以上采用刚玉管。(注:1200度以下也可使用)
1.2采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,
1.3炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。
1.4采用技术,有单管、双管、卧式、可开启式、立式、单温区、双温区、三温区等多种管式炉型。
1.5具有安全可靠、操作简单、控温精度高、保温效果好、温度范围大、炉膛温度均匀性高、温区多、可选配气氛、抽真空炉型等。
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