金华管式炉厂家 一站式服务

产品用途：主要用于稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等行业进行真空烧结、气氛保护烧结、真空镀膜、CVD实验、物质成分测量等场合。
供应管式炉可配高低真空系统
产品用途：主要用于稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等行业进行真空烧结、气氛保护烧结、真空镀膜、CVD实验、物质成分测量等场合。
控制方式
模糊PID控制和自整定调节功能；智能化30段可编程控制。
密封方式不锈钢密封法兰。（包括针型阀、指针式真空压力表、软管接头）
控温精度±1℃
工作温度温度1200℃，连续工作温度≤1100℃
可充气氛氮气、氩气及其它惰性气体；通纯氢需配置自动点火装置（另购）
操作安全开门断电、**温报警、漏电保护功能
质量保证质保期1年，相关耗材除外，如加热元件易耗材等。

PECVD系统 等离子体化学气相沉积系统
窗体底端
PECVD系统
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子体增强化学气相沉积法。
本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
本设备主要由管式加热炉体，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应腔室等部件组成。
主要特点：
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。

管式炉主要功能和特点：
1.设备的控制系具有安全可靠、操作简单、控温精度高、保温效果好、温度范围大、炉膛温度均匀性高、温区多、可选配气氛、抽真空炉型等。
2.可供选择：真空管式炉、气氛管式炉、普通管式炉、旋转管式炉、多工位管式炉、分体管式炉、一体管式炉、立式管式炉、卧式管式炉、单温区管式炉、双温区管式炉、三温区(多温区)管式。
炉膛高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛，保温性能好。
控温方式温度控制系统采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能，30段升降温程序
密封方式不锈钢法兰挤压密封
标准配件密封法兰1套，“O”型圈4个，管堵4个，高温手套1副,坩埚钩1把
可选购附件炉架，供混气系统，低、中、高真空系统，各种刚玉坩埚，刚玉管，计算机控制软件，无纸记录仪等。
温度，炉管尺寸及炉管高温区长度可根据客户要求定制!

1100℃大口径双温区管式炉技术参数
基本参数：
热偶：K型热偶
建议升温速率：≤10℃/min
温度：1000℃ （1100℃＜1h）
电源：AC220，50Hz   大8KW
加热区：
规格1：加热区长度：600mm    双温区：300mm+300mm
规格2：加热区长度：900mm    双温区：450mm+450mm
管式电炉特点
1、控制精度：±1℃ 炉温均匀度：±1℃(根据加热室大小而定) 。
2、微电脑控制，操作方便，可编程，自动升温、自动保温、自动降温。
3、炉管采用刚玉99陶瓷。
4、不锈钢金属法兰密封（双胶圈）
5、炉体经精致喷塑耐腐蚀耐酸碱，炉体与炉膛隔离采用风冷炉壁温度接近室温 6、双回路保护（**温、**压、**流、段偶、断电等）
7、进口耐火材料，保温性能好，耐温高
8、真空表真空度 0至负0.1Mpa
9、电炉可通多种气体（氧气、氮气、氩气、氢气等）
10、温度类别：1000℃ 1400℃ 1600℃ 1700℃ 四种
11、本产品采用可靠的集成化电路，工作环境好，抗干扰
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