泉州真空管式炉 一站式服务

管式炉是一种实验室设备,适用于金属，纳米，单晶硅,多晶硅,电池等的扩散焊接以及真空下的气体保护下，在真空或气氛状态下烧结各种新材料样品。采用国际技术，开发研制的节能环保电炉，管式炉有单管、双管、卧式、可开启式管式实验电炉。如要通各种气体也可以也可配备气体控制柜。
管式炉适用于工矿企业、大专院校，科研院所及实验室作真空或气氛状态下烧结各种新材料样品用。
炉体结构：
1.采用双层壳体结构，并带有风冷系统，使表面温度低于70℃（参考值，详情请点击）
2.设备中配有2个氧化铝管堵，设备使用时必须把管堵塞入到炉管两端（保证恒温区和密封圈的密封性）（点击图片查看详细资料）
3.高纯氧化铝纤维作为炉膛材料（表面涂有高温氧化铝涂层，可提高加热效率延长炉膛使用寿命）
4.该炉可作为退火或扩散炉，大可用于8”晶片放在对应石英舟中
加热元件：掺钼铁铬铝(表面涂有氧化锆涂层，可以较大程度延长使用寿命）

PECVD系统 等离子体化学气相沉积系统
窗体底端
PECVD系统
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子体增强化学气相沉积法。
本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
本设备主要由管式加热炉体，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应腔室等部件组成。
主要特点：
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。

多段控温管式炉
奥菲达实验仪器AFD系列中高温程控马弗炉，适用于各类大专院校实验室、工矿企业化验室，供化学分析、煤质分析、物理测定以及金属、陶瓷的烧结和溶解、小型工件等的加热、焙烧、烘干、热处理用。          型号：AFD-17E（定做型）
技术参数：
1  管径：80mm
2、温度： 1700℃ 使用温度：室温到1600℃    使用温度：400-1500℃
3、恒温时温度稳定性：±1℃
4、炉膛材料：采用进口多晶复合陶瓷纤维材料，
5、电源电压：380V
6、炉体自身变压器功率＞17KW(特制变压器)
7、加热元件：特制硅钼棒
8、测温元件：白金（双铂铑热电偶B型）
9、控制方式：程控、模糊PID调节、 PID参数自整定功能，手动/自动无干扰切换功能，**温报警功能，可编程序10段
10. 配有通讯接口可连接电脑和记录仪
11、电流输出方式：双向可控硅模块输出
12、升温速度：1200度以下 每分钟20度左右；1200度以上，每分钟10度左右。（也可以根据实际情况适当调整升温速度）
13、 加热功率可随设定升温情况自动调节，凸显节能效果。
14、显示视窗：测量温度，设定温度双显示，加热功率光柱显示。
15.节能性能：重量轻，升温快，节能60%以上，省时省力
16、控制特点：控制系统模块化结构，设备关键部件**命设计，工艺简单可靠、稳定性好、精度高。

1200度200管径管式炉(标准/双温区/三温区)
窗体底端
设备名称  200管径管式炉（开启式）
型 号  TF1200-200  TF1200-200II  TF1200-200III
基本参数  电源电压  AC 220V,50/60Hz  AC 220V,50/60Hz  AC 380V,50/60Hz
外形尺寸（宽*深*高）
设备重量  115Kg  135Kg  160Kg
加热系统  加热功率  6Kw  8Kw  12Kw
加 热 区  440mm  600mm（300+300）  900mm（300+300+300）
恒 温 区  150mm（±3℃）  300mm（±3℃）  600mm（±3℃）
加热区数  单温区  双温区  三温区
极限温度  1200℃  1200℃  1200℃
使用温度  ＜1100℃（大气或惰性气氛下），≤900℃（高真空条件下）
升温速率  ≤30℃/min（上限）
300℃以内：≤3-8℃/min，300℃以上：≤8-12℃/min（建议）
降温速率  700℃以上≤10℃/min
测温传感器  N型
电 热 丝  HRE合金丝
表面负荷高、电阻率高、抗氧化性能好、经久耐用
炉 膛  中日合资 1500型氧化铝多晶纤维一体成型
收缩率小，导热系数低，保温效果好，耐用节能
管式电炉产品描述
1.1本款管式炉以硅碳棒、硅钼棒或者电阻丝为加热元件，温度一般在1200度以上采用刚玉管。（注：1200度以下也可使用）
1.2采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，
1.3炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。
1.4采用技术，有单管、双管、卧式、可开启式、立式、单温区、双温区、三温区等多种管式炉型。
1.5具有安全可靠、操作简单、控温精度高、保温效果好、温度范围大、炉膛温度均匀性高、温区多、可选配气氛、抽真空炉型等。
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